応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
液滴エビタキシー法によるGaAs量子ドットの作製
小口 信行
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1996 年 65 巻 9 号 p. 926-930

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抄録
液滴エピタキシー法によるGaAs量子ドツトの作製に関する最近の研究成果を紹介する.この方法の特徴は,結晶成長のみの簡単なプロセスで,大きさの良くそろった極微細構造を加工損傷なしに自己形成的に作れ,またStranski-Kraatanov型の成長機構に基づく量子ドットの自己形成的な作製法と異なり, GaAs-GaAlAsのような格子整合系にも適用できることである.
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© 社団法人 応用物理学会
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