磁性体/半導体ハイブリッド構造の進展
1997 年 66 巻 2 号 p. 132-136
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1997 年 66 巻 2 号 p. 132-136
材料の性質が大きく異なる磁性体と半導体からなる八イブリッド構造についての研究を紹介した.Mn系強磁性金属間化合物とIII-V化舎物半導体という結晶構造・物性・機能が大きく異なる物質からなる薄膜ヘテロ構造を形成するための考え方を述べ,続いてエピタキシャル成長,構造,磁性,電気伝導を調べた結果について報告した.このような異種物質からなるヘテロ構造では,エピタキシャル成長初期の衰面・界面制御がその構造や物牲(特に磁気異方性)を決定する璽要な役割を果たしていることを示した.また,最近新たな展開がみられたIII-V族ベース希薄磁姓半導体についても簡単に触れた.
