引き上げシリコン単結晶における成長時導入欠陥の巨視的分布の形成
1997 年 66 巻 7 号 p. 711-714
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1997 年 66 巻 7 号 p. 711-714
点欠陥の温度勾配下の拡散方程式には二つのタイプの拡散が提案されている.両式は両式における輸送熱の違いを考慮すると同等の式であることを示した,
融液から成長したシリコン単結晶成長端に見られるAOP-zoneの挙動を解釈して,成長界面で結晶に取り入れられる点結晶の濃度は平衡濃度に等しくはなく,結晶成長速さに依存することを指摘した.結晶に取り入れられる点欠陥濃度がBolling-Fainsteinの式にしたがうとすればAOP-zoneの形成を説明ずることができる.
