自己形成量子ドットレーザー
1998 年 67 巻 2 号 p. 172-175
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1998 年 67 巻 2 号 p. 172-175
高ひずみのエピタキシャル成長によって作製される自己形成量子ドットは,結畠成長により自然に微細構蓋が形成されることから,低次元構造応用デバイスの作製にブレークスルーをもたらすものと期待されている.量子ドットレーザーへの応用においても,電流注入によるレーザー発振が報告さにれ,急展開を晃せつつある.ここでは, InAs自巴形成量子ドットの半導体レーザーへの応用について紹介するとともに,現状の問題点を明らかにし,今後を展望する.
