InP系高電子移動度トランジスタ (HEMT)
2000 年 69 巻 2 号 p. 141-151
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2000 年 69 巻 2 号 p. 141-151
InP基板上に作製された高電子移動度トランジスタ (HEIMT) は高い電子速度が実現でき,電子ビーム描画を用いて作製したゲート長30nmのHEMTは今日までに報告されているあらゆるトランジスタの中で最高速の特性を示している.本報告では,まず微細ゲートInP系HEMTにおける電子輸送について議論した後,デバイス作製技術やIC応用例を紹介し,最近の研究動向や残された課題について議論する.
