強誘電体メモリーの基礎特性と今後の展開
2001 年 70 巻 1 号 p. 74-78
詳細
2001 年 70 巻 1 号 p. 74-78
高速・不揮発動作が可能な強誘電体メモリー (FeRAM) が注目され,実用化に向けた研究開発が開始されてから10年以上が経過する.このように長い年月の精力的な開発努力の末,強誘電体メモリーがようやく実用化の段階に入った.携帯機器や混載LSI用として有望な強誘電体メモり一の基本動作原理,強誘電体材料の特徴,製法上の特徴と実際のメモリーセルの構造について解説し,今後の強誘電体メモリーの応用分野と展開についても簡単に触れる.
