応用物理
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Print ISSN : 0369-8009
電子ビーム露光技術の現状と展望
松井 真二落合 幸徳山下 浩
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2001 年 70 巻 4 号 p. 411-417

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抄録

半導体集積回路に代表されるデバイス微細加工のキーテクノロジーである電子ビーム露光技術の最近の動向と将来展望について述べる.パターン描画機能をもっ電子ビーム露光技術は,現在の量産用リソグラフィー技術である光露光の高精度マスク描画,少量多品種システムLSI製造に不可欠の技術である.近年,波長制限によって,光露光技術が解像度限界に達しつつあり, 70nm 以降の次世代量産技術として,分割転写方式,マルチビーム方式などの高スループット電子ビーム露光技術が注目されており,それらの最新動向について解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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