応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
高品質強誘電体薄膜の低温合成—パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]薄膜の合成—
舟窪 浩
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2001 年 70 巻 9 号 p. 1061-1066

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抄録
強誘電体メモリー材料であるPb(Zr,Ti)O3薄膜作成に関して,高集積化;を実現する新しい有機金属化学気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOOVD法);を開発したので紹介する.この方法は原料混舎ガスを反応室に間欠に導入することで,リーク電流の低減,膜表面の平滑化,超薄膜の特性発現に効果があり,“パルスMOCV口法”と名づけた.さ:らに,この方法は低温化にも有効で, 415°Cという低温で作成した多結晶薄膜でも,高温で作成したエピタキシャル成長薄膜とほぼ同L大きさの強誘電特性を発現することが明らかになった.
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© 社団法人 応用物理学会
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