光で磁性を制御する
光磁性半導体の新しい展開
2002 年 71 巻 1 号 p. 47-51
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2002 年 71 巻 1 号 p. 47-51
光による磁性の発現と制御をめざす研究は,その時代の先端で出現した棄材とともに変遷してきた.本稿では, III-V族磁性混罷楽導体 (In, Mn) As/GaSbヘテロ構造における光キャリア誘起強磁性の達成(1997年)の後に開けつつある,「光キャリア」による新しい展開を紹介する.具体的には, III-V族強磁性半導体の磁気特性制御や光によるスピン注入効果,ざらに,磁性体・半導体グラニュラー複合構造の室温光変調磁性などについて解説する.
