金属インプリント法による多結晶シリコンの核発生制御
2002 年 71 巻 5 号 p. 557-561
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2002 年 71 巻 5 号 p. 557-561
単一の結晶粒内にシリコン薄膜トランジスタを実現する技術として,金属インプリント法を紹介する.これは,非晶質のシリコン薄膜を固相で結昂化する際に,金属のティップアレイから薄膜表蜀に金属を局所的に転写し,その点で結晶核を発生させる方法である.結晶核の発生位置を制御した結果,大きさが10μmを超える巨大な結晶粒を,トランジスタを配置したい所望の位置に形成することができる.この技術を使って作製した薄膜電界効果トランジスタが優れた特性を示すこと,および,薄膜バイポーラトランジスタも動作可能であることを示す.
