抄録
CSD法により作製した(Pb, La)TiO3強誘電体薄膜に関し, アニール中の電界の印加が結晶配向性に及ぼす影響について検討した。スピンコーティング法により、Pt/ガラス基板上に塗布し, 乾燥→仮焼を繰り辺した。最終に、薄膜に電界を印加させながら、500℃でアニールを行った。電界印加方法は、基板の電極を下部電極とし、上部電極は薄膜に接触させない状態で行った。X線回折パターンから、電界アニールを行うことにより、(101)と(110)のピークがやや減少し、(001)、(100)のピーク強度が大きくなっており、a-及びc-軸方向の配向性が高くなった。これは、電界アニールにより結晶本来のエネルギー的に優位な面の発達を促進させたためと推測される。
