日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第15回秋季シンポジウム
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ゾルゲル法によるチタニア薄膜の昇温脱離法による焼成プロセスの解析
矢部 貴行西出 利一宮林 延良佐野 真紀子
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p. 313

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抄録
本研究は、水酸化チタンからチタニアゲル膜を作製し、その焼成プロセスをTPDにより解析し、Ti(OC2H5)4およびTiCl4を原材料とした結果と比較検討することを目的とした。チタニアゲル膜の焼成過程において脱離ガスによる幾つかのTPDカーブが観測され、それらはH2O、NH3、HClおよびClに帰属された。焼成過程においてH2Oは190℃以下の温度領域で脱離するので、物理吸着水によるものと考えられる。NH3(M/z=17)のTPDカーブはゾル液作製過程において残存したNH4+の脱離によるものである。TPDカーブよりHCl(m/z=36)は110℃、135℃および260℃で脱離していることが明らかになった。その他にゲル膜中に残存しているCl(M/z=35)による脱離ピークが50∼1000℃で観測された。
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©  日本セラミックス協会 2002
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