ニオブ酸イットリウム薄膜のEL特性

抄録

ニオブ酸イットリウム(YNbO₄)のバルクセラミックスと薄膜を作製し、エレクトロルミネセンス(EL)を電界強度の関数として測定した。薄膜はスパッタリング法で作製した。薄膜のEL測定には、NbをドープしたSrTiO3基板を下部電極に、AlをドープしたZnO薄膜を上部電極として使用した。両電極間に電界を印加したところELが測定された。フォトルミネセンス測定での発光の中心波長は400nmであった。EL強度は印加した電界にしたがって増加した。