MBE法で作製した酸化亜鉛薄膜の合成条件と発光特性

抄録

MBE法によりノンドープZnO(ZO)薄膜およびAl添加ZnO(AZO)薄膜を作製し、電気特性、光学特性を評価した。Zn、Oの供給比、成長温度などの合成条件でZO薄膜の成長速度、物性は大きく変化した。最適なZO薄膜作製条件においてAlの供給を制御することで、キャリア濃度10²⁰cm^-3、移動度60cm²V^-1s^-1のAZO薄膜が得られた。キャリア濃度、移動度の温度依存性を測定した結果、AZO薄膜は典型的な縮体半導体の挙動を示した。CL測定の結果、結晶性の高いAZO薄膜において紫外領域に特異な発光が観察された。この発光は励起子発光と異なる発光であると考えられた。