MOCVD法で合成されたYSZ/圧電体複合薄膜の電気的性質

抄録

原料にZr(dpm)₄およびY(dpm)₃を用いたMOCVD法によりイットリア安定化ジルコニア(YSZ)を作製し、PZT圧電アクチュエータ上に取り付けた。得られたYSZ膜の複素インピーダンスを測定した結果、YSZのバルク成分を表している半円と、イオン伝導を示唆するスパイクが見られた。本実験で得られたYSZ薄膜の伝導度は、YSZバルク体の報告値の値とほぼ一致した。YSZ膜のイオン伝導性は、取り付けたアクチュエータの歪み振動の増加にともない増加した。