MOCVD法により合成したBaTiO₃-BaZrO₃膜の構造と誘電的性質

抄録

MOCVD法によりBa(Ti_1-xZr_x)O₃膜を合成し、膜の誘電特性に及ぼす組成の影響について調べた。基板には石英ガラスおよび(100)Pt/(100)MgO単結晶を用いた。Ba(Ti_1-xZr_x)O₃膜の格子定数はxの増加とともに単調に増加した。973Kで合成したBaTiO₃膜は(100)に強く配向していたが、xの増加とともにBa(Ti_1-xZr_x)O₃膜の(100)配向は低下した。Ba(Ti_0.85Zr_0.15)O₃膜の誘電率は350K付近でブロードな極大を示し、その極大を示す温度は周波数の増加とともに上昇した。400K以下では誘電率が周波数の増加とともに減少するリラクサー的挙動が認められた。