パルスMOCVD法で原料供給方法を変化させたPZT薄膜の微構造の高品質化

抄録

チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を原料をパルス状に分割供給するパルスMOCVD法を用いてMgO, LaAlO₃とSrTiO₃単結晶基板上に成膜した。チタン酸鉛(PT)の薄膜においてパルスMOCVD法の原料供給方法を変化させることで膜の微構造が改善された。PT原料を供給した後に真空の過程をおくことでMgO基板上のPTはTiリッチの組成になった。また、SrTiO₃基板上に成膜した場合は真空過程をおくことでAFMで表面を観察した際にRMS値で0.390nmと最も平滑な表面が得られた。