Si基板上におけるPb(Mg_1/3, Nb_2/3)O₃薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性

抄録

リラクサ型ペロブスカイト酸化物は優れた誘電特性を示すことから薄膜単結晶デバイスヘの応用が期待されている。しかし、実際には高度なバッファー技術が要求され、特にSi基板上における報告例は非常に少ない。本研究では、エピタキシャルバッファー層を導入したSi基板上にPb(Mg_1/3, Nb_2/3)O₃(PMN)薄膜を作成し、バッファー構造がPMN薄膜のエピタキシャル成長に及ぼす影響と、その成長メカニズムおよび誘電特性について調べた。