Bi₄Ti₃O₁₂系単結晶の構造相転移ダイナミクスと強誘電特性

抄録

チタン酸ビスマスBi₄Ti₃O₁₂(BiT)は、大きな自発分極(P_s)を持つことから、非鉛圧電材料として、また不揮発性メモリー材料として注目されている。現在までに我々は、Ti4+よりも価数の大きなV⁵⁺やW⁶⁺等のドーピングにより酸素空孔を低減した結果、残留分極(Pr)が飛躍的に向上することを見いだしている。本研究では、種々のBiT単結晶(BiT、VドープBit[BTV]、La置換BiT[BLT])の分極特性と、格子欠陥およびドメイン構造との関連を検討した。