抄録
非鉛系の圧電材料として、ビスマス層状構造をもつ強誘電体(BLSF)の実用化が期待されている。BLSFは圧電特性の異方性が大きく、広く用いられる多結晶体では、単結晶に比べてはるかに低い特性しか示さない。したがって、BLSFを圧電セラミックスとして利用する際に粒子配向が要求される。粒子配向法には、形状異方性粒子配向成形法(OCAP法)、テンプレート粒子成長法(TGG法)と反応性テンプレート粒子成長法(RTGG法)がある。本研究ではBLSFのひとつであるSrBi4Ti4O15(SBT)を対象とし、3種類の粒子配向法が焼結体の配向度および密度に及ぼす影響を調べた。