日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第15回秋季シンポジウム
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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

化学溶液法によるBi4-XNdXTi3O12強誘電体薄膜の低温作製
林 卓, 飯澤 直也, 戸川 大地, 山田 美緒, 坂本 渉, 平野 眞一
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キーワード: チタン酸ビスマス, 強誘電特性, 化学溶液法, ネオジム
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p. 364

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抄録
BITのビスマスサイトはネオジムにより置換された。Pt/TiOx/SiO2/Si基板上に作製したBNT薄膜は化学溶液法により研究されている。700℃で作製されたBNT薄膜は高い結晶性を示した。BNT薄膜は約200nmの粒子からなる緻密で均一な表面微構造であった。700℃本焼成のBNT薄膜は飽和したヒステリシスループであった。BNT薄膜の残留分極値と抗電界の値はそれぞれ22.1μC/cm2、70.5kV/cmだった。
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© 　日本セラミックス協会　2002
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