欠陥エンジニアリングによるSrBi₂Ta₂O₉強誘電体の特性制御

抄録

SrBi₂Ta₂O₉は、耐久性に優れていることに加え、抗電界が小さく、極薄膜においてもバルクの分極特性を維持できることから、低電圧作動用FeRAM材料として期待されている。本研究では、SBTのSrを価数の大きい陽イオン(M=Bi, La, Ce, Pr, Nd, Sm等)で置換することにより残留分極(2Pr)および抗電界(2Ec)が広い範囲で制御可能であること、および分極特性の制御に、格子欠陥(Sr空孔および酸素空孔)が重要な役割を果たしていることを示す。