大気放型CVD法によるZrO₂ウイスカーの作製

抄録

大気開放型CVD装置を用いてZrO₂ウイスカーの作製を行った。基板加熱温度、650℃∼700℃において。(100)Si基板上にウイスカーの成長を試みた。XRDパターンにより(002)面に沿って高配向した。正方晶造であることを確認した。ZrO₂ウイスカーの形態観察から、ZrO₂ウイスカーは平均成長速度は、0.6nm/s、アスペクト比11および直径は430nmであることがわかった。