高品質β-FeSi2薄膜の成長機構とその特性評価

抄録

(111)Si基板上とβ-FeSi₂初期層上にMOCVD法でβ-FeSi₂エピタキシャル薄膜の作製を行った。Si基板上にMOCVD法で直接成膜を行うと、XRDの結果は(101)/(110)強配向な薄膜が得られるものの、他の配向のピークも確認された。そこで、Feターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法で作製したβ-FeSi₂初期層上にMOCVD法で成膜を行った。初期層は(101)/(110)配向しており、粒形の細かい緻密な層であった。オーバーグロースの結果、初期層の配向を維持したまま明解な粒が確認できない均一な薄膜が得られた。またこの薄膜の表面凹凸は初期層の無いものよりも小さくなっていた。