CVD SiCのN₂-O₂およびAr-O₂雰囲気におけるPassive酸化とバブル発生

抄録

CVD SiCのpassive酸化およびバブル発生挙動をAr-O₂およびN₂-O₂ガスを用いて観測し、SiCの酸化速度およびバブル発生挙動に及ぼす窒素の影響を検討した。1985K以下、0₂分圧1kPa以上ではAr-O₂、N₂-O₂雰囲気ともにlinear-parabolic則に従うpassive酸化が観測された。低温·低酸素圧でparabolic則へと遷移するが、N₂-O₂雰囲気ではより高温·高酸素圧側で遷移が観察された。1985K以上ではいずれの雰囲気でもO₂分圧によらずバブルの発生が見られた。1985K以下ではpassive酸化とバブル発生酸化の境界O₂分圧は温度の上昇とともに高くなったが、N₂-O₂雰囲気での境界O₂分圧はAr-O₂雰囲気より約1桁低い値であった。N₂-O₂雰囲気では酸化膜にamorphous-SiO₂が残存するために酸化挙動に違いが生じたと考えられる。