抄録
化学気相析出(CVD)法は、組成制御が比較的容易で高純度の生成物を得られることから、電子デバイスをはじめとする薄膜材料の合成プロセスとして広く用いられている。他方、成膜速度が小さいために、例えば金属の耐熱コーティングのような数100μmの膜厚を必要とする材料の合成は困難であった。本研究では、MOCVD法によるイットリウム安定化ジルコニア(YSZ)の合成プロセスにおいて、レーザー光を導入して基板を選択的に加熱することによって、成膜速度が飛躍的に向上することを見いだし, 260μm/hという非常に高い成膜速度を達成した。
