ZnO ウィスカーの紫外線発光強度と電子線入射方位の関係

抄録

われわれは大気開放型CVDによって(100) Si基板に、カソードルミネッセンスにより385 nmの紫外線発光が確認されているZnOウイスカーを作製した。本研究では、電子線の照射角度を変えることにより、より強く発光する電子入射角度を調査する。ウイスカーを成長方向に対して電子線入射角度を0 から45゜に傾けるほどCL強度が増す。45 が最適角度であることが分かった。