ゾル-ゲル法によって作製されるシリカ薄膜の限界厚さと応力に及ぼす有機物の効果

抄録

モル比Si (OC2H5)4 :H2O : HNO3: C2H5OH =1 : 2 : 0.01 : 5, Si (OC2H5)4 : PVP : H2O : HNO3: C2H5OH =1 : 0.5 : 2 : 0.01 : 20 およびSi (OC2H5)4 : CH3Si (OC2H5)3: H2O : HNO3 : C2H5OH = 0.4 : 0.6 : 2 : 0.01 : 5 なる溶液をコーティング液としてスピンコーティングによってSi ウェハ上にシリカゲル膜を作製した。これらのゲル膜を5℃/min の速度で500℃まで昇温し, この間,薄膜応力測定装置(FLX-2320, Tencor)を使って膜応力のその場測定を行った。溶液へのPVPまたはCH3Si(OC2H5)3の添加は,昇温過程における膜応力の増大を抑制する働きがあることがわかった。