RF マグネトロンスパッタにより作製した ZnO 薄膜のフォトルミネセンス特性

抄録

ZnO薄膜およびバッファーレイヤーとしてのAlN薄膜を、サファイアC面基板上にRFマグネトロンスパッタを用いて作製した。ZnO中に蛍光元素をドープする場合は同一装置にて別のターゲットから供給した。得られた試料につき、SEM観察とPL 測定およびX線回折を行った。結果、AlNバッファー層無しでも、可視域の発光がほとんどなく、高強度のバンド端紫外発光を示すZnO膜が得られた。ZnO膜中に蛍光元素をドープした場合は、これまでのところEu添加でEuからのスペクトルが確認されているが、母体ZnOのバンド端UV発光の方が依然として優勢である。