日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2003年年会講演予稿集
セッションID: 2L36
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原子層制御による PMN, PZN 系薄膜のペロブスカイト相安定化とエピタキシャル成長
*山田 智明脇谷 尚樹篠崎 和夫水谷 惟恭近藤 正雄栗原 和明
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抄録
鉛を含むリラクサ材料は優れた誘電・光学特性を示すことで知られているが、パイロクロア相が容易に生成しペロブス力イト相の安定化が難しいことでも知られている。特に薄膜においてはその合成圧力や温度が制限されるために良質なペロブス力イト単相薄膜を得ることはより困難である。しかし他の酸化物薄膜で研究されているような原子層レベルでの成長制御を、ペロブス力イト相の安定化に応用する試みはこれまでほとんど行われていない。本研究では、SrTiO_3 (STO)基板上におけるPb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3 (PMN), Pb(Zn_<1/3>Nb_<2/3>)O_3(PZN)系薄膜について、基板の最表面原子層(終端層)の違いがPMN, PZN系薄膜のぺロブス力イト相の安定化とそのエピタキシャル成長に与える影響を調べた。
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©  日本セラミックス協会 2003
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