PT, PZ 原料交互供給パルス MOCVD 法による原料供給様式と PZT 薄膜の誘電特性

抄録

PZT薄膜をPTとPZ原料を交互供給するパルスMOCVD法によりMgO基板とPt/MgO基板上に合成した。原料供給ガスの供給パルス幅が長くなると、PZT(001)のピークがPZT,PT,PZのピークに分離し、その境界付近では固溶していると考えられる。誘電特性はパルス幅が長くなると分極は一度小さくなったあとで大きくなっていた。リーク電流はパルス幅が長くなるにつれて単調に大きくなった。