抄録
Bi層状構造化合物はa軸方向に分極軸を有する材料であり、近年その薄膜材料は劣化特性に優れているため不揮発性メモリー材料として注目されている。一方、擬ペロブスカイト層が偶数層の場合、ｃ軸方向にはミラー面があるため強誘電性は発現しない。我々は、MOCVD法によりｃ軸配向Bi層状構造化合物薄膜を作製し、その特性を評価した。その結果、誘電率は比較的高く、常誘電的性質（誘電率のdcバイアス依存小、温度係数小）を示し、リーク特性も良好で、かつ誘電率の膜厚依存も小さいという薄膜コンデンサ材料として有望な特性を有することがわかった。
