カーボンブラック分散フェノール樹脂_-_シリケート前駆体からのSiCナノスフィア生成過程

抄録

本研究ではナノレベルの直径を有する球状カーボンブラックを樹脂_-_シリケート複合前駆体に分散させ、焼成後にナノレベルでの微細変調構造を有するC-SiO2を合成した。さらに1838K、アルゴン気流中で焼成することによってSiC-C粒子を得、さらに973K酸素気流中にて保持することにより、残留炭素を取り除いた。前駆体の調製条件がSiC生成過程への与える影響について調べた結果を報告する。