抄録
beta-Ga2O3は化学的・物理的に安定なワイドギャップn型半導体であり、透明導電膜やオプティカルデバイスなどへの応用が期待されている。本研究では安価に行え、膜厚などの制御が容易な化学溶液析出法を利用してナノ_-_サブミクロンスケールで構造が制御されたbeta-Ga2O3膜を作製した。基板にはガラスおよびSnO2などの金属酸化物をコートしたガラス基板を用いた。それらをGa(NO3)3水溶液に浸漬し、60℃にて保持した結果、SnO2およびTiO2コート基板を用いた場合にのみ膜が析出した。これらの膜はGaOOHと同定され、引き続き熱処理することによりbeta-Ga2O3膜が得られた。この膜は500nmをピークとする緑色発光を示した。