ＲＦ-ＭＢＥ法によるＡｌＢＮ多結晶薄膜の成長

抄録

　GaN, AlNをはじめとする窒化物化合物半導体にBの添加が試みられているが、B濃度は数％程度の低濃度に限られている。本研究ではRF-MBE法を用いてAlNからBNに至る広い濃度範囲にわたってAlBN混晶の成長を試みた。RF-MBEの_III_族線源にはEBガン、N（窒素）源にはRFラジカルガンをそれぞれ用いた。反射型高速電子線回折(RHEED)の評価でAlBN及びBN薄膜はリングパターンを示し、多結晶であった。Bはメタルの状態ではなく、N（窒素）と結合した状態で取り込まれていることがXPSによる評価で確かめられた。