日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第17回秋季シンポジウム
セッションID: 1H10
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強誘電体薄膜メモリ用多層下部電極に関する研究
*塩嵜 忠, 岡村 総一郎, 栗田 昌昭, 河崎 晋, 王谷 洋平
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キーワード: PZT, 配向性, 密着層
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抄録
現在、Pb系強誘電体薄膜キャパシタの下部電極としては、Pt, IrO2, Ir, TiAlN等のいくつかの材料を組み合わせた多層構造が用いられている。これは、各層に鉛拡散防止や酸素透過防止、密着性向上等の機能を持たせ、強誘電体薄膜の分極反転疲労を抑制するとともに、高温プロセスにおけるコンタクトプラグの酸化を防ぐためであるが、下層の構造をより精密に制御することにより、キャパシタとしての特性を向上させることが可能である。本講演では、密着層の結晶構造を制御することで上層のPtや強誘電体層の配向性や特性を変えることができること、合金層を導入することでより単純な構造でも同等の機能を有する電極が実現できること、また逆にPt表面の汚染極薄層を取り除くことで強誘電特性を向上させることが可能なこと等を報告する。
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©  日本セラミックス協会 2004
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