シュードインターフェイズとしてのLNO電極を用いたCSD法PZT/LNOキャパシターの形成とその電気特性

抄録

Pb(Zr,Ti)O3(以下PZT)は代表的な強誘電体材料であり、強誘電体メモリーなどへの応用が期待されている。その電極材料としてはPtが主に用いられているが、鉛系強誘電体材料では分極反転の繰り返しによって著しい分極疲労特性がみられる。そこで我々はLaNiO3(以下LNO)酸化物電極をCSD法により作製し、分極疲労特性の改善を目的とした。LNOは良好な金属導電性を示すペロブスカイト型構造であるだけでなく、PZTとの界面整合性がよく、PZTの配向制御による電気特性の向上も期待できる。今回我々はCSD法により形成したLNO電極により分極疲労特性の改善、さらにPZT薄膜の配向制御による電気特性の向上にも成功した。