抄録
窒化シリコン(SiNx)膜は半導体デバイスの絶縁膜だけでなく、保護膜としての応用も検討されている。我々は、真空槽内に設置した加熱金属線上で原料ガス（SiH4、NH3、H2）を分解し、低温で薄膜を形成する触媒CVD法を用いて、有機EL保護膜用SiNx膜の低温形成を試みている。この場合、保護膜には1）低温形成（80℃以下）、2）耐湿性、3）透明、4）低膜応力（100MPa以下）などが要求される。これまでに、80℃以下の低温において、高耐湿性（モコン法の検出限界0.01g/m2day以下）、透明（膜自体の吸収なし）、低応力（数10MPa以下）のSiNx膜の形成に成功した。さらに室温形成や100nm/min以上の高速成膜が可能であることも見出した。
