PZT/Buffer/Si構造におけるbuffer層によるPZT薄膜の内部応力制御と誘電特性

抄録

Si基板上に種々のバッファ層が導入することでPZT薄膜をエピタキシャル成長させることができる。ここでバッファ層は基板からの情報を引き継ぐ役割を果たしている。薄膜は基板に拘束されているために応力を受けており、特にSi基板上の強誘電体材料は両材料が持つ大きな熱膨張差から基板に平行な方向に強い引張応力を受けている。そのために薄膜の誘電特性はバルク体の持つ特性が得られていない。そこで本研究ではエピタキシャルPZT薄膜にかかる内部応力を制御する手段としてバッファ層に着目し、応力制御を目的としたバッファ層を導入することで、誘電特性の向上を試みた。