抄録
フッ酸洗浄したシリコン単結晶表面が撥水性を示すことに関して、分子軌道法（半経験法ＰＭ５）を用いて解析した。Siの(1,1,1)、(1,1,0)、(1,0,0)面のクラスターを用意し、水素終端の場合、一つをＯＨ基で置換した場合、Ｆで置換した場合について水分子を接近させた場合のエネルギーの変化を計算した。水素で終端している場合には安定な配置は存在せず、ある距離より近づくとエネルギーは単調に増加した。ＯＨ，およびＦで置換した場合には何れもそれらの近傍に安定な配置が存在した。安定化の度合いについては非経験計算でも検証した。
