化学溶液法によるNd置換Bi₄Ti₃O₁₂-SrBi₄Ti₄O₁₅薄膜のケミカルプロセッシングとその特性

抄録

最近、交代層構造Bi₄Ti₃O₁₂-SrBi₄Ti₄O₁₅(BiT-SBTi)化合物は、優れた耐疲労特性および単体構成成分のBiT，SBTiそれぞれと比較して、より大きな残留分極値を有するために、不揮発性強誘電体メモリのような、様々な薄膜電子デバイスへの応用が期待され、非常に注目を浴びている。また、構造中のBiサイトを希土類元素により置換することで、強誘電性が改善されるということも明らかになってきている。そこで本研究では、化学溶液法によりNd置換BiT-SBTi薄膜を作製し、Nd置換(Bi_4-xNd_xTi₃O₁₂-SrBi_4-yNd_yTi₄O₁₅ :BNT-SBNT/x+y=0, 0.75, 1.0, 1.5)による結晶化挙動や電気的特性へ及ぼす効果について検討した。その結果、BNT-SBNT (x+y=0.75)組成の薄膜は、2Prが30.0μC/cm〈SUP〉2〈/SUP〉という最も優れた強誘電性を示すことがわかった。