抄録
層状構造をもつチタン酸ビスマス（Bi4Ti3O12 : BiT）は，比較的大きな自発分極（Ps）をもつ強誘電体であることから，不揮発性メモリーや非鉛圧電材料として期待されている．しかし，現在までに得られている多結晶体や薄膜の残留分極（Pr）は小さく，自発分極から予想される値よりも小さい．これは，格子欠陥がドメイン壁をピニングし，電界による分極反転を妨げていることに起因する．本研究では、Bi4Ti3O12の分極特性を向上させるための材料設計指針を得ることを目的として，第一原理バンド構造計算により、Bi4Ti3O12の格子欠陥の解析を行った。また，単結晶を用いて育成時の酸素分圧がリーク電流および分極特性に及ぼす影響を調査した．
