抄録
近年、GaNを始めとした窒化物半導体がLEDや光触媒に広く応用されており、窒化物の応用範囲は多岐に渡っている。一般に窒化物の合成はNH3雰囲気下の固相反応で行われるが、この場合、粒子の凝集による窒化反応の阻害などが起こりやすい。そのため固相反応では窒化の制御が難しく、均一な試料が得られない事が多い。今後の窒化物応用の展開のためには、均質な単成分系窒化物の効率的合成だけでなく、複数の元素が共存する多成分系窒化物を、均一な組成で合成できるプロセスの確立が不可欠である。そこで、本研究では、準安定な酸化物をアンモニア焼成で加熱分解しNを導入するという新しい合成方法により均一な窒化物の合成を試みた。
