抄録
窒化ガリウム(GaN)をベースとした高効率，高性能半導体薄膜デバイスの開発が盛んに行われており，ホモエピタキシャル基板としてのGaN単結晶に対するニーズが高まっている．今回，我々は窒素雰囲気中Na蒸気下のGa融液から透明柱状のGaN単結晶を成長させる合成手法を報告する．Ga融液は蒸気のNaを取り入れてNa-Ga融液を形成し，その融液からGaN単結晶が育成する．この方法で得られた六角柱状透明結晶は，結晶成長の初期段階で析出した坩堝界面付近部分も透明であり，Na-Ga混合融液を出発組成とする従来のNaフラックス法で合成した場合には初期に析出する坩堝界面のGaN微結晶が黒いことと対照的である．また，この手法を用いてGaNバルク単結晶の種結晶成長を試みた．その結果，種結晶成長が観察され，その育成した結晶部分は茶色の着色が見られるものの透明であった．
