抄録
窒化アルミニウム（AlN)は、高熱伝導、高い絶縁性、低い誘電率、Siと近い熱膨張係数を有するため、半導体基板に使用されている。従来、アルミナの炭素熱還元法によって単一相AlNを合成するには一般に１５００℃以上の高温が必要であった。
我々は出発原料としてゾル化したベーマイトをオレイン酸に加え、高速攪拌することによってオレイン酸ベーマイトエマルジョンを作製した。このエマルジョンをArガス中６００℃で熱処理することで、アモルファスカーボン中にナノサイズのアルミナ（約１０nm)が均一に分散した混合物を作製した。このカーボンとナノアルミナ混合物をアンモニアガス（１００ml/min）流通下、１１５０℃、３時間で窒化した結果、単一相の約１０nmサイズのAｌNが生成したことが分かった。従来の炭素熱還元法と比較すると４００℃以上の低温でAlNなの粒子が得られることを明らかにした。
