CSD 法によるニオブ酸カリウムナトリウム薄膜の形成

抄録

ニオブ酸カリウムナトリウムKNaNbO3(以下KNN)はPZTなど鉛ベースのセラミック系に代わる非鉛系圧電体として注目されている物質である。現在、バルクセラミックスでは高い圧電特性が報告されているが、薄膜での報告例はない。そこで本研究では半導体プロセスとの適合性を考慮して、Si基板上にCSD法によりKNN薄膜を形成することを試みた。また、(001)方向に配向させたPbO及び(100)方向に配向したLNOをシード層として導入することで、c軸方向へ選択配向したKNN薄膜を形成することを試みた。得られた薄膜の電気特性を評価した。