抄録
Al2O3を数mol%添加したZnO焼結体は置換型固溶体を形成しやすく，その半導体特性は不純物元素の存在によって著しく変化する．本研究では，XRD，EPMAによりZnO焼結体中にAlがZnAl2O4の形で存在していることが示唆され，さらにAFM，SAMを用いてZnAl2O4の分布状態を観察した．しかしこれらの機器では，ZnO粒内に固溶しているAlを直接検出することは困難である．そこで微量元素の検出が可能なSIMSを用いてマッピング測定を行ったところ，ZnO粒内にAlが固溶していることが示唆された．これはAl固溶によるZnOの格子定数の変化と一致している．
