化合物半導体材料はその作製プロセスにより不均質な領域が混在してしまう場合がしばしば生じる。半導体材料の電気的特性の代表的測定法であるvan der Pauw法においては、そのような不均質な領域が測定時の試料内の電位分布を大きく乱し、その結果、試料本来の特性と大きくかけ離れた値しか測定値として得られないなどのことも予想される。そこで本研究では、不均質な化合物半導体材料においてvan der Pauw法により測定を行なう際の、測定試料内の電位分布及び電気的特性の各測定値をコンピュータ・シミュレーションにより求め、検討を加えた。
