抄録
現在、様々なデバイスなどへの応用が期待されているZnOは、六方晶系ウルツ鉱型の結晶構造を有するため、サファイアなどの単結晶基板を用いてその薄膜材料の結晶成長が行なわれている。ところで、石英ガラス基板は大面積、安価などの利点を有する基板材料であるが、単結晶基板を用いた場合に比べ、その上に作製されるZnO薄膜の結晶性は著しく劣る。ZnO薄膜を石英ガラス基板上に作製して各種デバイスなどへ応用しようとする場合には、可能な限りその薄膜の結晶性が良いことが望まれる。そこで本研究では、石英ガラス基板上にあらかじめ種々の下地薄膜を形成し、その上にZnO薄膜を成長させた場合の結晶性の変化について主に検討を行なった。
