ｒ-sapphire基板上に成長したZnO薄膜の結晶構造と電気特性

抄録

近年、ZnOは紫外発光デバイスへの応用が期待され活発に研究されている。ZnOは青色発光ダイオードとして実用化されているGaNと同じウルツアイト構造を有し、基板上にc軸配向した成長をしやすい。GaN発光デバイスでは効率改善のため非極性面成長に関する研究が最近盛んに行われており、ZnOにおいても非極性面成長に関する情報を得ることは重要であると思われる。R面サファイヤ上にZnOを成長させると非極性面である(1120)面が配向するが、そのc軸長は基板の影響によりバルク値よりも小さくなる。本研究ではミスマッチの影響による格子定数の変化が電気特性にどのように影響するかに関して調査したので報告する。